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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5310 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for DC/DC Converter Applications(用于DC/DC變換器的NPN硅外延平面型晶體管) |
| 中文描述： | 瑞展硅晶體管的直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用程序（用于直流/直流變換器的npn型硅外延平面型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SC5310 |
2SA1973/2SC5310
No.5613–2/4
Continued on preceding page.
Switching Time Test Circuit
VR
RL
VCC=12V
VBE=--5V
20IB1= --20IB2= IC=500mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
+
+
50
INPUT
OUTPUT
1k
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
T7
°
C
-
°
C
2
°
C
2SA1973
VCE=--2V
Pulse
--1000
--800
--600
--200
--400
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR08236
2SC5310
VCE=2V
Pulse
IC -- VBE
ITR08237
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
T5
°
C
-
°
C
1000
800
600
200
400
0
2
°
C
IB=0
--2mA
IB=0
2mA
4mA
6mA
--6mA
ITR08235
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.8
--2.0
--1.6
--0.4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE– V
--1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
2.0
IC -- VCE
2SA1973
Pulse
ITR08234
IC -- VCE
2SC5310
Pulse
--4mA
C
C
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE– V
Base-to-Emitter Voltage, VBE– V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE– V
r
m
a
P
l
b
m
y
S
s
n
o
n
o
C
s
g
n
R
y
t
U
n
m
p
1
x
a
m
t
u
d
o
P
c
n
h
w
a
a
p
d
a
n
a
C
B
-
G
p
O
fT
o
VE
C
VB
C
I
V
=
V
0
0
1
=
1
=
C
A
m
0
5
=
M
1
0
9
5
z
H
F
p
m
m
V
V
V
V
n
M
e
t
b
C
z
H
1
5
1
1
3
–
e
g
a
V
n
o
S
r
m
E
-
e
C
VE
C
)
s
IC
I
A
m
0
0
5
=
B
A
m
5
2
=
)
0
0
)
0
0
2
3
–
V
V
0
e
g
a
V
n
w
w
o
d
V
n
w
n
o
k
o
S
e
B
e
B
r
m
e
B
e
s
e
r
m
B
E
a
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m
i
E
-
s
-
e
C
-
e
C
-
m
E
O
-
T
a
B
VE
B
V
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(
V
B
(
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(
)
s
IC
IC
IC
IE
S
I
A
I
A
R
,
A
I
A
μ
e
e
m
0
μ
0
0
m
0
5
=
1
=
1
=
1
=
s
e
e
B
=
A
m
5
2
=
5
8
2
e
g
a
V
V
n
a
d
a
o
k
a
e
d
k
s
a
O
O
O
B
E
B
C
C
)
E
)
o
)
R
R
R
tn
E0
E
C0
=
T
d
0
5
3
2
6
e
g
a
e
g
B=
∞
a
N
t
c
C
t
e
p
0
6
5
3
5
2
2
6
s
e
m
i
e
g
a
S
tg
t
c
C
t
e
T
d
e
e
p
s
e
e
S
)
0
0
s
s
s
n
n
n
e
m
i
l
F
tf
t
c
C
t
e
T
d
e
e
p
s
e
e
S
5
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SC5317 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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