參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5008
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN硅外延晶體管)
中文描述： NPN硅外延晶體管（npn型硅外延晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： 2SC5008
2SC5008
4
25
0
5.0
0.5
3
0
1
50
2
2
2.0
1
2
50
1.0
0.5
0.2
0.1
V
CE
= 3 V
I
C
= 5 mA
20
10
5
1
0.5
20
15
10
5
0.1
0.2
1.0
2.0
MAG
|S
21e
|
2
5
10
20
f = 1 MH
Z
V
CE
= 3 V
f = 2 GH
Z
C
r
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
N
V
CB
– Collector to Base Voltage – V
I
C
– Collector Current – mA
NOISE FIGURE vs. COLLECTOR CURRENT
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, INSERTION
POWER GAIN vs. FREQUENCY
M
|
2
|
2
f – Frequency – GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SC5010 NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN硅外延晶體管)
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2SC5013-T1 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
2SC5013 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
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參數(shù)描述
2SC5008(NE68019) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
2SC5008-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.9dB @ 2GHz 增益:7.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5008-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5008-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN SMALL SIGNAL AMPLIFIER
2SC5008-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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