參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4811K
廠商： NEC Corp.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-126VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 100V的五（巴西）總裁| 8A條一（c）|至126VAR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： 2SC4811K
Data Sheet D15602EJ2V0DS
2
2SC4811
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
= 100 V, I
E
= 0
1.0
μ
A
Emitter cutoff current
I
EBO
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
5.0
mA
DC current gain
h
FE1
*
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 4.0 A
2,000
20,000
DC current gain
h
FE2
*
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 8.0 A
500
Collector saturation voltage
V
CE(sat)
*
I
C
= 4.0 A, I
B
= 4.0 mA
1.5
V
Base saturation voltage
V
BE(sat)
*
I
C
= 4.0 A, I
B
= 4.0 mA
2.0
V
Turn-on time
t
on
0.5
μ
s
Storage time
t
stg
2.5
μ
s
Fall time
t
f
I
C
= 4.0 A, I
B1
=
I
B2
= 4.0 mA
R
L
= 12.5
, V
CC
50 V
Refer to the test circuit.
0.6
μ
s
Collector capacitance
C
ob
V
CB
= 10 V, I
E
= 0 , f = 1 MHz
45
pF
* Pulse test PW
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2%
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
h
FE1
2,000 to 5,000
4,000 to 10,000
8,000 to 20,000
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
TAPING SPECIFICATION
Electrode Connection
1. Base
2. Collector
3. Emitter
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PDF描述
2SC4811L SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC4811M TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-126VAR
2SC4813 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SC4814 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SC4815 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
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參數(shù)描述
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2SC4815-T-AZ-K 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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2SC4833-4000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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