型號: | 2SC4791 |
廠商: | Hitachi,Ltd. |
英文描述: | Silicon NPN Epitaxial |
中文描述: | npn型硅外延 |
文件頁數(shù): | 3/12頁 |
文件大?。?/td> | 70K |
代理商: | 2SC4791 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SC4796 | Silicon NPN Triple Diffused |
2SC4796 | Power Bipolar Transistors |
2SC4797 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
2SC4810 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
2SC4811 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SC4793 | 功能描述:TRANS NPN 230V 1A TO220NIS RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SC4793(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 230V 1A 100 to 320 TO220NIS Bulk |
2SC4793(F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4793(LBSAN,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 1A 230V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
2SC4793(M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS NPN 230V 1A TO220NIS |