參數(shù)資料
型號： 2SC4672
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low Frequency Transistor (50V, 2A)
中文描述： 低頻晶體管（50V的2A）條
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 58K
代理商： 2SC4672
2SC4672
Transistors
Low Frequency Transistor (50V, 3A)
2SC4672
z
Features
1) Low saturation voltage, typically V
CE
(sat)
=0.1V at I
C
/I
B
=1A /50mA.
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SA1797.
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Rev.A
1/2
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
60
50
6
3
6
0.5
2
150
55 to
+
150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (Pulse)
1
2
W
°
C
°
C
1
Single pulse, Pw
=
10ms
2
40
×
40
×
0.7mm Ceramic board
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
z
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Marking
2SC4672
MPT3
PQ
DK
T100
1000
Code
Basic ordering unit (pieces)
Denotes h
FE
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
1
Min.
60
50
6
82
Typ.
0.13
Max.
0.1
0.1
0.35
270
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
Conditions
h
FE
2
f
T
Cob
45
210
25
MHz
pF
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
60V
V
EB
=
5V
I
C
/I
B
=
1A/50mA
V
CE
=
2V, I
C
=
0.5A
V
CE
=
2V, I
C
=
1.5A
V
CE
=
2V, I
E
=
0.5A, f
=
100MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current.
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2SC4672T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4672T200Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC4682 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:3000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC4682,T6CSF(J 功能描述:TRANS NPN 3A 15V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 30mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:800 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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