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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4227 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
| 中文描述： | 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 2SC4227 |
2SC4227
7
[MEMO]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4228 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
| 2SC4228-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
| 2SC4228-T2 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
| 2SC4257 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for 1200V/30mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于1200V/30mA 高電壓放大器應(yīng)用的NPN三路硅平面擴(kuò)散型晶體管) |
| 2SC4260 | Silicon NPN Epitaxial |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4227(NE68130) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| 2SC4227-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC4227-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:NE68130-T1-R35 |
| 2SC4227-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:0 |
| 2SC4227-T1-A (R35) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:REN2SC4227-T1-A (R35) NPN SMALL SIGNAL L |
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