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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4149 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 288K |
| 代理商： | 2SC4149 |
0.01
0.1
1
0
50
100
150
2SC4149
IC = 5A
IB1 = 0.5A
IB2 = 0.5A
VBB2 = 4V
RL = 5
ts
ton
tf
Switching Time - Tc
Case Temperature Tc [
°C]
Switching
Time
t
SW
[
s]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4163-M | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4163L | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4163-L | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4163M | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4163-L | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4149-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4149-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4149-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4149-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4150 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Switching Power Transistor(12A NPN) |
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