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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4149 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 288K |
| 代理商： | 2SC4149 |
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I C
=
1A
3A
5A
7A
10A
15A
Tc
=
25
°C
Saturation
Voltage
I C
=
1A
3A
5A
7A
10A
15A
2
Base
Current
I
B
[A]
Collector-EmitterVoltage
VCE
[V]
Base-EmitterVoltage
VBE
[V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4163-M | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4163L | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4163-L | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4163M | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4163-L | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4149-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4149-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4149-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4149-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4150 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Switching Power Transistor(12A NPN) |
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