參數(shù)資料
型號(hào): 2SC3929S
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 50 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 593K
代理商: 2SC3929S
Transistors
Publication date : October 2008
SJC00140DED
1
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SC3929
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency output amplication
Complementary to 2SA1531
Features
Low noise voltage NV
High forward current transfer ratio hFE
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic
insertion through the tape packing.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
35
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
35
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
5
V
Collector current
IC
50
mA
Peak collector current
ICP
100
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°
C
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 mA, IE = 0
35
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
35
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 mA, IC = 0
5
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 1 V, IC = 100 mA
0.7
1.0
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 10 V, IE = 0
0.1
m
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 10 V, IB = 0
1
m
A
Forward current transfer ratio *
hFE
VCE = 5 V, IC = 2 mA
180
700
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.6
V
Transition frequency
fT
VCB = 5 V, IE = –2 mA, f = 200 MHz
100
MHz
Noise voltage
NV
VCB = 10 V, IC = 1 mA, GV = 80 dB,
Rg = 100 k, Function = FLAT
150
mV
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classication
Rank
R
S
T
hFE
180 to 360
260 to 520
360 to 700
Merking symbol
SR
SS
ST
Package
Code
SMini3-G1
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Marking Symbol: S
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3931G-C HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3932T VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3936B 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3938G-Q 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3938G-R 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC39300CL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 30MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39310CL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC3931GCL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39320SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39320TL 功能描述:TRANS NPN HF AMP 20VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR