參數(shù)資料
型號： 2SC3931G-C
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 310K
代理商： 2SC3931G-C
1
Transistors
Publication date: April 2007
SJC00358AED
2SC3931G
Silicon NPN epitaxial planar type
For high-frequency amplification
■ Features
Optimum for RF amplification of FM/AM radios
High transition frequency f
T
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
3V
Collector current
IC
15
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 030
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 03
V
Base-emitter voltage
VBE
VCB = 6 V, IE = 1 mA
720
mV
Forward current transfer ratio *
hFE
VCB
= 6 V, I
E
= 1 mA
65
260
Transition frequency
fT
VCB = 6 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
450
650
MHz
Common-emitter reverse transfer
Cre
VCB = 6 V, IE = 1 mA, f = 10.7 MHz
0.8
1.0
pF
capacitance
Power gain
GP
VCB = 6 V, IE = 1 mA, f = 100 MHz
24
dB
Noise figure
NF
VCB
= 6 V, I
E
= 1 mA, f = 100 MHz
3.3
dB
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
C
D
hFE
65 to 160
100 to 260
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: U
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3932T VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3936B 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3938G-Q 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3938G-R 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3938GQ 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3931GCL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39320SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39320TL 功能描述:TRANS NPN HF AMP 20VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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