參數(shù)資料
型號： 2SC3841
廠商： NEC Corp.
英文描述： Oscillator And Mixer NPN Silicon Epitaxial Transistor(振蕩器和混合器NPN外延晶體管)
中文描述： 振蕩器和混頻器NPN硅外延晶體管（振蕩器和混合器npn型外延晶體管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 90K
代理商： 2SC3841
2
2SC3841
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
-Collector Current-mA
h
F
-
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
0.05
20
10
5
50
100
200
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
-Collector Current-mA
f
T
-
1
2
5
10
20
40
0.5
0.1
0.2
0.5
1
2
5
7
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
BE
-Base to Emitter Voltage-V
I
C
-
0.6
0.7
0.8
0.9
0.5
1
2
5
10
20
50
70
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 10 V
f = 1.0 GHz
I
C
-Collector Current-mA
|
2
|
2
-
1
2
5
10
20
40
0.5
0
5
10
15
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
OUTPUT CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
V
CB
-Collector to Base Voltage-V
C
o
-
1
2
5
10
20
0.5
2
1
3
f = 1.0 MHz
C
C
.r
b'b
vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
-Collector Current-mA
C
C
.r
b
-
0.5
1
2
5
10
20
40
0
4
2
6
8
10
V
= 10 V
I
=
50 mA
f = 39.1 MHz
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