參數(shù)資料
型號(hào): 2SC3663
廠商: NEC Corp.
英文描述: NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN硅外延晶體管)
中文描述: NPN硅外延晶體管(npn型硅外延晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商: 2SC3663
3
2SC3663
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
q
C)
10
5
0
0.1
1
10
|
2
|
2
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
f - Frequency - GHz
I
C
- Collector Current - mA
I
C
- Collector Current - mA
f - Frequency - GHz
G
A
NF
I
C
- Collector Current - mA
V
CE
= 1 V
I
C
= 1 mA
10
8
6
4
2
1
0.1
1
10
f
T
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 1 V
10
5
0
20
10
0
0.1
1
10
|
2
|
2
INSERTION POWER GAIN vs. COLLECTOR
CURRENT
V
CE
= 1 V
f = 1.0 GHz
40
20
0
0.1
1
10
M
M
MAXIMUM AVAILABLE GAIN vs. FREQUENCY
10
5
0
0.1
1
10
G
A
N
NOISE FIGURE AND POWER GAIN AT OPUTIMUM NF
vs
. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 1 V
f = 1.0 GHz
V
CE
= 1 V
I
C
= 1 mA
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PDF描述
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2SC3676 High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications
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2SC3679 Isolated Flyback Switching Regulator with 9V Output
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參數(shù)描述
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