- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370070 > 2SC3663 (NEC Corp.) NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN硅外延晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3663 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN硅外延晶體管) |
| 中文描述： | NPN硅外延晶體管（npn型硅外延晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | 2SC3663 |
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC3663
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
1997
Document No. P10406EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published August 1997 N
Printed in Japan
FEATURES
Low-voltage, low-current, low-noise and high-gain
NF = 3.0 dB TYP.
G
A
= 3.5 dB TYP.
Ideal for battery drive of pagers, compact radio equipment,
cordless phones, etc.
Gold electrode gives high reliability.
Mini mold package, ideal for hybrid ICs.
@V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, f = 1.0 GHz
@V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, f = 1.0 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
q
C)
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector to Base Voltage
V
CBO
15
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
8
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
2
V
Collector Current
I
C
5
mA
Total Power Dissipation
P
T
50
mW
Junction Temperature
T
j
150
q
C
Storage Temperature
T
stg
e
65 to +150
q
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
q
C)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
0.1
P
A
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
0.1
P
A
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, pulse
50
100
250
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA
4
GHz
Insertion Power Gain
°
S
21e
°
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA, f = 1 GHz
4.0
6.5
dB
Maximum Available Gain
MAG
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA, f = 1 GHz
12.5
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, f = 1.0 GHz
3.0
4.5
dB
Associated Power Gain
G
A
V
CE
= 1 V, I
C
= 250
P
A, f = 1.0 GHz
3.5
dB
Collector Capacitance
C
ob
Note
V
CB
= 1 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
0.4
0.6
pF
Note
Measured using 3-pin bridge, with emitter pin connected to the bridge guard pin.
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)
2.8 ± 0.2
2
0
0
0
1
0
0
1.5
C
Marking
E
B
0.65
+0.1
+
–
0
+
–
0
+
–
PIN CONNECTIONS
E: Emitter
B: Base
C: Collector
Marking: R62
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3664 | NPN Triple Diffused Planar Type Darlington Silicon Transistor for 400V/20A Driver Applications(用于400V/20A驅(qū)動器應(yīng)用的 NPN三路硅平面達(dá)林頓晶體管) |
| 2SC3675 | High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications |
| 2SC3676 | High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications |
| 2SC3678 | Isolated Flyback Switching Regulator with 9V Output |
| 2SC3679 | Isolated Flyback Switching Regulator with 9V Output |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC3665-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 3-Pin MSTM |
| 2SC3665-Y(T2NSW,FM | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC3665-Y,T2F(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC3665-Y,T2NSF(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC3665-Y,T2YNSF(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。