參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3661
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(用于高直流電流增益，低頻通用放大器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
中文描述： 瑞展HFE的高硅，低晶體管頻率通用放大器應(yīng)用（用于高直流電流增益，低頻通用放大器應(yīng)用的npn型硅外延平面型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/3頁
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代理商： 2SC3661
2SC3661
No.1854–2/3
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PDF描述
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2SC3665-Y,T2F(J 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC3665-Y,T2NSF(J 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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