參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3647T
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
封裝： ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SC3647T
2SA1417 / 2SC3647
No.2006-4/5
IT10757
0
0.2
0.4
0.5
0.6
0.8
1.8
1.6
1.4
1.5
1.2
1.0
0
20
80
100
60
40
160
140
120
2SA1417 / 2SC3647
ITR03554
--1.0
3
--10
5
7
5
7
3
2
0.01
3
0.1
5
7
5
2
3
1.0
5
7
2
3
2
7 --0.01
--0.1
57
3
2
--1.0
57
3
23
2
1.0
3
10
5
7
5
7
3
2
7 0.01
0.1
57
3
2
1.0
57
3
23
2
7
1.0
53
22
ITR03555
ITR03556
7
10
53
27 100
5
ICP=3A
IC=2A
1ms
10ms
100
ms
DC
operation
25
°C
Ta= --25
°C
75
°C
2SC3647
IC / IB=10
2SA1417
IC / IB=10
25
°C
Ta= --25
°C
75
°C
2
--0.01
--0.1
57
73
2
--1.0
57
32
3
2
0.01
0.1
57
73
2
1.0
57
32
3
--1000
--100
--10
2
3
5
7
2
3
5
7
ITR03552
100
10
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
ITR03553
2SC3647
IC / IB=10
2SA1417
IC / IB=10
--25
°C
25°
C
Ta=75
°C
--25
°C
25°C
Tc=75°C
2SA1417 / 2SC3647
VBE(sat) -- IC
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
A S O
For PNP minus sign is omitted.
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (250mm2!0.8mm)
PC -- Ta
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Mounted
on
a
ceramic
board
(250mm
2!
0.8mm)
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Infinite
heat
sink
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1417R 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
2SA1417 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
2SC3647S 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
2SA1461Y22-T1B Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1461Y24-T2B-A Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC3648T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3649S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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