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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3585 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
| 中文描述： | 微波低噪聲放大器NPN硅外延TRANSISOR |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 2SC3585 |
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2SC3585
[MEMO]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3585Q | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC3585R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-346 |
| 2SC3585R43 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC3585R44 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-346 |
| 2SC3585R45 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC3585-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC3585-T1B-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
| 2SC3585-T1B-A(R) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SC3585-T1B-A-S | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC3588-AZ(L) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
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