參數(shù)資料
型號： 2SC3585
廠商： NEC Corp.
英文描述： MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
中文描述： 微波低噪聲放大器NPN硅外延TRANSISOR
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： 2SC3585
2
2SC3585
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
200
100
0
10
20
50
100
200
50
1
5
10
50
0.5
100
150
T
A
-Ambient Temperature-
°
C
I
C
-Collector Current-mA
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
P
T
-
h
F
-
V
CE
= 6 V
I
C
-Collector Current-mA
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
|
2
|
2
-
0.1
0.5
0.3
0.2
0.7
1
3
2
1
3
2
5
7
10
20
30
V
CB
-Collector to Base Voltage-V
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
C
r
-
f = 1.0 MHz
0
2
4
6
10
8
1
3
2
5
7
10
20
30
0
12
8
4
16
20
0.1
0.3
f-Frequency-GHz
0.2
0.5 7.0
1.0
2.0
3.0
INSERTION GAIN, MAXIMUM AVAILABLE
GAIN vs. FREQUENCY
M
|
2
|
2
-
V
CE
= 6 V
I
C
= 10 mA
5
3
2
7
10
30
20
1
3
2
5
7
10
20
30
I
C
-Collector Current-mA
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
f
T
-
V
CE
= 6 V
Free Air
|S
21e
|
2
MAG
V
CE
= 6 V
f = 2.0 GHz
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PDF描述
2SC3585Q SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
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參數(shù)描述
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2SC3585-T1B-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
2SC3585-T1B-A(R) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC3585-T1B-A-S 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC3588-AZ(L) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk
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