- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣IC網(wǎng) > PDF目錄370069 > 2SC3583 (NEC Corp.) MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC3583 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 2SC3583 |
7
2SC3583
[MEMO]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3583Q | BJT |
| 2SC3583R | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC3583R33 | BJT |
| 2SC3583R34 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC3583R35 | BJT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC3583-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC3583T1B | 制造商:NEC 功能描述:* 制造商:NEC 功能描述:Transistor 3k per reel |
| 2SC3583-T1B | 制造商:NEC 功能描述:Transistor 3k per reel 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC3583-T1B-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin SC-59 T/R |
| 2SC3583-T1B-A(R) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
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