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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC3583 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 2SC3583 |
4
2SC3583
S-PARAMETER
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REACTANCE COMPONENT
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––––
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S
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-FREQUENCY
V
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200 MHz Step
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CONDITION
V
CE
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CONDITION
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2.0 GHz
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0.2 GHz
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I
C
= 5 mA
S
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I
C
= 20 mA
0.2 GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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