參數(shù)資料
型號： 2SC3503FSTSTU
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： SHORT-LEAD TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： 2SC3503FSTSTU
2SC3503/KSC3503
—
NPN
Ep
it
axi
al
Silico
n
T
ransistor
2008 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
2SC3503/KSC3503 Rev. A1
3
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. Static Characteristic
Figure 3. DC current Gain
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Collector Output Capacitance
02
46
8
10
0
4
8
12
16
20
IB = 120A
IB = 100A
IB = 80A
IB = 60A
IB = 40A
IB = 20A
IB = 0
I C
[m
A
],
CO
L
E
C
T
O
R
CUR
RE
NT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
20406080
100
0
2
4
6
8
10
IB = 60A
IB = 50A
IB = 40A
IB = 30A
IB = 20A
IB = 10A
IB = 0
I C
[m
A
],
CO
L
E
C
T
O
R
CUR
RE
NT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VCE = 10V
h
FE
,DC
CURRENT
G
A
IN
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
IC = 10 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t),
V
CE
(s
at
)[V]
,S
A
TU
R
A
T
ION
VOLT
AGE
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
0.00.2
0.40.6
0.81.0
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
VCE = 10V
I C
[m
A
],
CO
L
E
C
T
O
R
CURR
EN
T
VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
f = 1MHz
C
ob
[pF
],
CA
PAC
IT
AN
C
E
VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3504-D 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3504-E 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3504F Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
2SC3510 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC3128 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3503FSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 300V 0.1A 7W 512-74LVT16244MTD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3504 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR SC-5 70V .05A .9W ECB
2SC3506 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 3A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3507 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 5A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3510 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-9220V .05A .6W BEC
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*