參數(shù)資料
型號： 2SC3503FSTSTU
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： SHORT-LEAD TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： 2SC3503FSTSTU
2SC3503/KSC3503
—
NPN
Ep
it
axi
al
Silico
n
T
ransistor
2008 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
2SC3503/KSC3503 Rev. A1
2
Electrical Characteristics* T
a=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width
≤300s, Duty Cycle≤2%
Ordering Information
* 1. Affix “-S-” means the standard TO126 Package.(see package dimensions). If the affix is ”-STS-” instead of “-S-”, that mean the short-lead TO126 package.
2. Suffix “-TU” means the tube packing, The Suffix “TU” could be replaced to other suffix character as packing method.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10A, IE = 0
300
V
BVCEO
Collecto- Emitter Breakdown Voltage
IC = 1mA, IB = 0
300
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10A, IC = 0
5
V
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB = 200V, IE = 0
0.1
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 4V, IC = 0
0.1
A
hFE
DC Current Gain
VCE = 10V, IC = 10mA
40
320
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 20mA, IB = 2mA
0.6
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 20mA, IB = 2mA
1
V
fT
Current Gain Bandwidth Product
VCE = 30V, IC = 10mA
150
MHz
Cob
Output Capacitance
VCB = 30V, f = 1MHz
2.6
pF
Cre
Reverse Transfer Capacitance
VCB = 30V, f = 1MHz
1.8
pF
Part Number*
Marking
Package
Packing Method
Remarks
2SC3503CSTU
2SC3503C
TO-126
TUBE
hFE1 C grade
2SC3503DSTU
2SC3503D
TO-126
TUBE
hFE1 D grade
2SC3503ESTU
2SC3503E
TO-126
TUBE
hFE1 E grade
2SC3503FSTU
2SC3503F
TO-126
TUBE
hFE1 F grade
KSC3503CSTU
C3503C
TO-126
TUBE
hFE1 C grade
KSC3503DSTU
C3503D
TO-126
TUBE
hFE1 D grade
KSC3503ESTU
C3503E
TO-126
TUBE
hFE1 E grade
KSC3503FSTU
C3503F
TO-126
TUBE
hFE1 F grade
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC3504 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR SC-5 70V .05A .9W ECB
2SC3506 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 3A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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