參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3503-D
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SC3503-D
No.1426-4/5
2SA1381/2SC3503
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
2
1
1.2
3
6
7
4
5
8
PC -- Ta
ITR03366
ITR03362
VBE(sat) -- IC
5
57
--10
22
--1.0
23
35
7
--100
--1.0
--10
5
7
3
5
7
3
2
2SA1381
IC / IB=10
ITR03363
VBE(sat) -- IC
7
5
57
10
22
1.0
23
35
7 100
3
1.0
5
3
5
7
2
10
7
2SC3503
IC / IB=10
ITR03364
A S O
DC
operation
(T
a=25
°C)
DC
operation
10ms
1ms
500
s
--10
3
5
7
2
3
5
3
2
3
55
7
57
--100
2
3
--10
7
2
--100
ICP=–200mA
IC=–100mA
2SA1381
ITR03365
A S O
10
3
5
7
2
3
5
3
2
3
55
7
57
100
2
3
10
7
2
100
ICP=200mA
IC=100mA
2SA1381 / 2SC3503
ITR03360
VCE(sat) -- IC
5
57
--10
22
--1.0
23
35
7
--100
--0.1
--1.0
5
3
5
7
2
--10
5
7
3
2
2SA1381
IC / IB=10
ITR03361
VCE(sat) -- IC
5
57
10
22
1.0
23
35
7
100
0.1
7
1.0
5
7
3
5
2
10
5
3
2
2SC3503
IC / IB=10
(Tc=25
°C)
DC
operation
(T
a=25
°C)
DC
operation
10ms
1ms
500
s
2SC3503
(Tc=25
°C)
No heat
sink
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector
Dissipation,
P
C
–W
Ambient Temperature, Ta – C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1381 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3503-F 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SA1381-D 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3503FSTSTU 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3504-D 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC3503ESTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3503FSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 300V 0.1A 7W 512-74LVT16244MTD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3504 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR SC-5 70V .05A .9W ECB
2SC3506 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 3A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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