參數(shù)資料
型號： 2SC3503-D
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SC3503-D
No.1426-3/5
2SA1381/2SC3503
--1.0
23
3
57
--10
7 --100
5
22
7
100
10
5
2
3
7
1000
5
3
2
ITR03354
fT -- IC
2SA1381
VCE=30V
1.0
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3
57
10
7 100
5
22
7
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10
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5
3
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ITR03355
fT -- IC
2SC3503
VCE=30V
7 --10
27 --100
2
3
--1.0
23
5
7
5
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03356
Cob -- VCB
2SA1381
f=1MHz
2SC3503
f=1MHz
7
10
27 100
2
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1.0
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7
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2
ITR03357
Cob -- VCB
7 --10
27 --100
2
3
--1.0
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5
7
5
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7
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5
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3
2
ITR03358
Cre -- VCB
2SA1381
f=1MHz
2SC3503
f=1MHz
7
10
27 100
2
3
1.0
23
5
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5
1.0
7
10
5
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5
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2
ITR03359
Cre -- VCB
1000
100
10
ITR03352
hFE -- IC
2
3
57
7
3
25
2
--1.0
--10
--100
2
3
5
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5
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5
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7
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7
100
1000
5
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2
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2
ITR03353
2SA1381
VCE= --10V
2SC3503
VCE=10V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
Ta=75
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25
°C
--25°C
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –mA
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1381 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3503-F 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SA1381-D 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3503FSTSTU 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3504-D 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC3503ESTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3503FSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 300V 0.1A 7W 512-74LVT16244MTD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3504 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR SC-5 70V .05A .9W ECB
2SC3506 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 3A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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