型號: | 2SC3357RH |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 12V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至243 |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大?。?/td> | 77K |
代理商: | 2SC3357RH |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC3359S | Power Transistor (80V, 0.3A) |
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2SC3380 | ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC |
2SC3382 | ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SC3357-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3357-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,12V,0.1A,P-MiniMold3 制造商:Renesas 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR |
2SC3357-T1-A-RE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SC3357-T1-A-RF | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SC3357-T1-RF-A | 功能描述:SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |