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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC2776 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial Planar |
| 中文描述： | 硅瑞展 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 24K |
| 代理商： | 2SC2776 |
2SC2776
3
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
C
Maximum Collector Dissipation Curve
50
100
150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2780 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
| 2SC2785 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SC2786 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SC2786KF | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-221VAR |
| 2SC2786LF | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-221VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2778 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC27780CL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 30MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC2780-T1-AZ-NK | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC2782A | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 16V 20A 6-Pin 2-13C1A |
| 2SC2784 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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