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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC1162 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | 2SC1162 |
2SC1162
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SA715
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126 MOD
123
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
1
Tj
35
V
Collector to emitter voltage
35
V
Emitter to base voltage
5
V
Collector current
2.5
A
Collector peak current
3
A
Collector power dissipation
0.75
W
10
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SC1162D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-126 |
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