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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB887 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 封裝： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 2SB887 |
2SB887 / 2SD1197
No.1079-3/4
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
--0.1
7
23
5
7
22
35
--1.0
--10
5
3
2
--1.0
5
2
3
7
0.1
7
23
5
7
22
35
1.0
10
5
3
2
1.0
5
2
3
7
--0.1
7
23
5
7
22
35
--1.0
--10
0.1
7
23
5
7
22
35
1.0
10
5
3
2
1.0
5
7
25
°C
2SD1197
IC / IB=500
120
°C
25
°C
Ta= --40°C
120
°C
ITR08631
ITR08632
2SB887
IC / IB=500
25°C
2SD1197
IC / IB=500
120°C
25
°C
120°C
2SB887
IC / IB=500
--1.0
--10
7
5
3
2
7
5
ITR08633
ITR08634
Ta= --40
°C
Ta= --40°C
Ta=
120°
C
--40°
C
Ta=120
°C
--40°
C
2SB887
VCE= --3V
2SB887
VCE= --3V
ITR08629
1000
10000
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
100
1000
10000
5
3
2
5
3
2
5
3
2
100
7
0.1
3
25
7
3
22
5
1.0
10
--1.0
7
3
25
7
3
22
5
--10
--0.1
25°C
2SD1197
VCE=3V
ITR08630
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
T
a=120
°C
--
4
0°
C
--12
--2
--10
--8
--6
--4
0
12
10
8
6
4
2
0
0--0.4
--0.8
--1.2
--2.0
--1.6
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
ITR08627
2SD1197
VCE=3V
25
°C
0.4
0.8
1.2
0.6
1.0
1.4
1.6
2.0
1.8
ITR08628
25°C
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PDF描述 |
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