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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB817PE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-3B, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SB817PE |
2SB817P / 2SD1047P
No.6572-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)5V, IC=(--)1A
60*
200*
hFE2VCE=(--)5V, IC=(--)6A
20
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
15
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(300)210
pF
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
1.5
V
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)5A, IB=(--)0.5A
(1.1)0.6
2.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)5mA, IE=0
(--)160
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)5mA, RBE=∞
(--)140
V
IC=(--)50mA, RBE=∞
(--)140
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)5mA, IC=0
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified test circuit.
(0.25)0.26
s
Fall Time
tf
See specified test circuit.
(0.53)0.68
s
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(1.61)6.88
s
* : The 2SB817P / 2SD1047P are classified by 1A hFE as follows
Rank
D
E
hFE
60 to 120
100 to 200
Swicthing Time Test Circuit
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
0
--10
--5
--15
--25
--35
--20
--30
--40
0
--2
--1
--3
--5
--7
--9
--4
--6
--8
--10
0
5
10
15
25
35
20
30
40
0
2
3
5
7
9
1
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT02167
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
IT02169
2SB817P
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
IT02170
2SD1047P
VCE=5V
IB=0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
IT02168
2SD1047P
IB=0
40mA
80mA
20mA
200mA
240mA
160mA
120mA
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
2SB817P
VCE= --5V
--80mA
--20mA
--40mA
--200mA
--240mA
--160mA
--120mA
200VR
1
VCC=20V
VBE= --2V
51
INPUT
OUTPUT
20
1
F1F
PW=20
s
IB1
IB2
10IB1= --10IB2=IC=1A
For PNP, the polarity is reversed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB824L-Q-T60-K | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB824G-R-T60-K | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB824L-R-AB3-R | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB824G-Q-AB3-R | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB824G-S-T60-K | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB817P-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTORPNP140V12ATO-247 |
| 2SB819 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
| 2SB819Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SC-71 |
| 2SB819R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SC-71 |
| 2SB821 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SIP |
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