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參數資料
| 型號： | 2SB648B |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126MOD, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SB648B |
2SB648, 2SB648A
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SD668/A
Outline
1
2
3
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126 MOD
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Ratings
Item
Symbol
2SB648
2SB648A
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–180
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–120
–160
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–5
V
Collector current
I
C
–50
mA
Collector peak current
I
C(peak)
–100
mA
Collector power dissipation
P
C
11W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB648C | 50 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB686 | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB698D | 700 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB698-G | 700 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB698E | 700 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB648C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB649 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:PNP Epitaxial Planar Transistors |
| 2SB649_09 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 2SB649_11 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
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