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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB566 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Triple Diffused |
| 中文描述： | 三重擴散硅進步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SB566 |
2SB566(K), 2SB566A(K)
4
1,000
–0.01
D
F
T
C
= 75
°
C
25
°
C
500
200
100
50
20
10
5
V
CE
= –4V
–25
°
C
–0.02 –0.05 –0.1 –0.2
–2
–1.0
–0.5
–5
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
Collector current I
C
(A)
–1.4
–0.01
C
s
C
–1.2
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0.02 –0.05
–0.1 –0.2
–0.5–1.0 –2
–5
0
25
°
C
–25
°
C
T
C
= 75
°
C
I
C
= 10 I
B
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
Collector current I
C
(A)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB566A | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566AK | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566K | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566 | Power Bipolar Transistors |
| 2SB566A | Power Bipolar Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB566(K)B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SB566(K)C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SB566A | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2SB566A(K)B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
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