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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB561 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SB561 |
2SB561
4
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
I
C
= 10 I
B
Ta = 75
°
C
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
–1
–10
–100
–1,000
–3
–30
–300
25
°
C
Collector Current I
C
(mA)
C
V
C
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Base Current
–
I
C
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–1
–3
Base Current I
B
(mA)
–10
–100
–30
C
V
C
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
f = 1MHz
I
E
= 0
200
100
50
20
10
5
–0.5
500
–2
–10
–1.0
Collector Base Voltage V
CB
(V)
–5
–50
–20
C
o
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB562 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB566 | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566A | Silicon PNP Triple Diffused |
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| 2SB566K | Silicon PNP Triple Diffused |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB561B | 制造商:n/a 功能描述:2SB561B TO92 S3B2A |
| 2SB561BTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB561C | 制造商:n/a 功能描述:2SB561C HIT N9H1G, S3B2D |
| 2SB561CTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB562 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Plastic Encapsulated Transistor |
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