參數(shù)資料
型號： 2SB1706
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： LOW FREQUENCY AMPLIFIER
中文描述： 低頻功率放大器
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 69K
代理商： 2SB1706
2SB1706
Transistors
z
Packaging specifications
Rev.B
2/2
package
Code
Taping
Basic ordering unit(pieces)
2SB1706
TL
3000
Type
z
Electrical characteristic curves
Fig.1 DV current gain
vs. collector current
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
VCE=
2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=
40 C
Ta=25 C
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
C
C
(
IC/IB=20/1
Pulsed
Ta=25 C
Ta=
40 C
Ta=100 C
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.3 Base-emitter saturation voltage
vs. collectir current
B
B
Ta=25 C
Pulsed
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=50/1
I
C
/I
B
=10/1
0.1
1
10
0.01
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V)
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
C
C
0.1
1
10
V
BE
=2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=
40 C
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter curent
T
Ta=25 C
VCE=
2V
f=100MHz
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.6 Switching time
S
Ta=
25 C
V
CE
=
12V
I
C
/I
B
=20/1
Pulsed
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
10000
tstg
tdon
tf
tr
100
1000
1
10
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
C
C
0.001
0.1
100
0.01
1
10
Cib
Cob
IC=0A
f=1MHz
Ta=25 C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SB1707TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1708TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1709TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1710TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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