參數(shù)資料
型號： 2SB1647Y
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT100, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： 2SB1647Y
52
hFE Rank O(5000to12000), P(6500to20000), Y(15000to30000)
Darlington
2SB1647
I C– V CE Characteristics (Typical)
h FE– I C Characteristics (Typical)
h FE– I C Temperature Characteristics (Typical)
I C– V BE Temperature Characteristics (Typical)
V CE(sat) – I B Characteristics (Typical)
Pc – T a Derating
–10mA
–50mA
–3mA
0
–3
–2
–1
–0.2
–1
–0.5
–10
–5
–200
–100
–50
Base Current I B(mA)
Collector-Emitter
Saturation
Voltage
V
CE(sat)
(V)
I C=–10A
I C=–15A
I C=–5A
0
–15
–10
–5
0– 3
–2
–1
Base-Emittor Voltage V BE(V)
Collector
Current
I
C
(A)
(V CE=–4V)
125C
(Case
Temp)
25C
(Case
Temp)
–30C
(Case
Temp)
–0.2
–0.5
–1
–5
–10 –15
Collector Current I C(A)
DC
Current
Gain
h
FE
(V CE=–4V)
1,000
10,000
50,000
5,000
Typ
(V CE=–4V)
–0.2
–1
–0.5
–5
–10 –15
1000
5000
10000
50000
Collector Current I C(A)
DC
Current
Gain
h
FE
25C
–30C
125C
Time t(ms)
0.1
1
3
0.5
1
1 0
100
1000
2000
Transient
Thermal
Resistance
θ
j-a
(C/W)
0.02
0.1
0.05
0.5
1
5
10
0
40
20
60
Cut-off
Frequency
f
T
(MH
Z
)
(V CE=–12V)
Emitter Current I E(A)
Safe Operating Area (Single Pulse)
θj-a–t Characteristics
f T– I E Characteristics (Typical)
0
–5
–10
–15
–2
–6
–4
Collector-Emitter Voltage V CE(V)
Collector
Current
I
C
(A)
–1.5mA
–1.0mA
–0.8mA
I B=–0.3mA
–0.5mA
–2mA
130
100
50
3.5
0
Ambient Temperature Ta(C)
Maximum
Power
Dissipation
P
C
(W)
With
Infinite
heatsink
Without Heatsink
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
–10
–50
–5
–3
–100
–200
–0.05
–1
–0.5
–0.1
–10
–50
–5
DC
100ms
10ms
Without Heatsink
Natural Cooling
Collector-Emitter Voltage V CE(V)
Collector
Current
I
C
(A)
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD2560)
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Ratings
–150
–5
–15
–1
130(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
°C
sAbsolute maximum ratings
sElectrical Characteristics
Symbol
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
COB
Ratings
–100max
–150min
5000min
–2.5max
–3.0max
45typ
320typ
Unit
A
V
MHz
pF
Conditions
VCB=–150V
VEB=–5V
IC=–30mA
VCE=–4V, IC=–10A
IC=–10A, IB=–10mA
VCE=–12V, IE=2A
VCB=–10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
External Dimensions MT-100(TO3P)
15.6±0.4
9.6
19.9
±0.3
4.0
2.0
5.0
±0.2
1.8
3.2±0.1
2
3
1.05
+0.2
-0.1
20.0min
4.0max
BE
5.45±0.1
C
4.8±0.2
0.65
+0.2
-0.1
1.4
2.0±0.1
a
b
sTypical Switching Characteristics (Common Emitter)
VCC
(V)
–40
RL
(
)
4
IC
(A)
10
VBB2
(V)
5
IB2
(mA)
10
ton
(
s)
0.7typ
tstg
(
s)
1.6typ
tf
(
s)
1.1typ
IB1
(mA)
–10
VBB1
(V)
–10
Weight : Approx 6.0g
a. Part No.
b. Lot No.
B
E
C
(70
)
Equivalent circuit
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PDF描述
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2SB1669-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
2SB167900L 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1679G0L 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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