參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1672F
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220FN, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： 2SB1672F
2SB1672
Transistors
Power Transistor (
80V, 7A)
2SB1672
!Features
1) Low saturation voltage.
(Typ. VCE(sat) =
0.3V at IC / IB =4A / 0.4A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Pc = 30W (Tc = 25
°C).
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SD2611.
!Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
80
5
7
2
30
150
55 +150
Unit
V
A(DC)
10
A(Pulse)
W
W(Tc
=25°C)
°C
Single pulse,
Pw
=100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
*
!External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
(1) Base(Gate)
0.75
0.8
2.54
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(3)
(2)
5.0
8.0
14.0
15.0
12.0
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!Packaging specifications and hFE
Type
2SB1672
TO-220FN
EF
500
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!Electrical characteristics
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
80
5
100
12
200
10
1
320
V
A
V
MHz
pF
IC
= 50A
IC
= 1mA
IE
= 50A
VCB
= 80V
VEB
= 4V
IC/IB
= 4A/0.4A
VBE(sat)
1.5
V
IC/IB
= 4A/0.4A
VCE/IC
= 5V/1A
VCE
= 5V , IE = 0.5A , f = 5MHz
VCB
= 10V , IE = 0A , f = 1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2SB1679G0L 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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