參數(shù)資料
型號： 2SB1571
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 41K
代理商： 2SB1571
Data Sheet D15930EJ2V0DS
3
2SB1571
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
EMITTER CURRENT
1000
200
500
100
50
20
10
0.01
I
E
- Emitter Current - A
f
T
V
CE
=
10 V
0.1
0.02
0.05
0.2
0.5
10
1
2
5
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
o
μ
s
t
s
μ
s
t
f
μ
s
I
C
- Collector Current - A
1
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0.2
0.5
0.1
2
5
10
V
CC
=
10 V
I
C
= 20 I
B
I
B1
=
I
B2
t
on
t
stg
t
f
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
.
1000
500
200
100
50
20
10
1
0.01
2
5
I
C
= 50 I
B
I
C
- Collector Current - A
V
C
0.1
0.02
0.05
0.2
0.5
10
1
2
5
T
A
= 125
C
75
C
25
C
0
C
25
C
10
1
0.5
0.2
0.1
5
I
C
= 20 I
B
.
BASE SATURATION VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
V
B
0.1
0.02
0.05
0.01
0.2
0.5
10
1
2
5
OUTPUT CAPACITANCE vs.
REVERSE VOLTAGE
1000
200
500
100
50
20
10
0.1
V
CB
- Collector to Base Voltage - V
C
o
f = 1.0 MHz
1
0.2
0.5
2
5
100
10
20
50
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PDF描述
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