參數(shù)資料
型號： 2SB1474TL
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CPT3, SC-63, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： 2SB1474TL
2SB1474
Transistor
Rev.A
2/3
Electrical characteristics curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.1 Ground emitter output characteristics ( )
0
5
4
3
2
1
5
4
3
2
1
0
Tc
=25°C
IB
=0A
400A
600A
800A
1mA
1.2mA
1.4mA
1.8mA
2mA
1.6mA
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.2 Ground emitter output characteristics (
)
0
5
4
3
2
1
20
18
12
8
4
0
Tc
=25°C
IB
=0A
400A
200A
600A
800A
1mA
1.2mA
1.4mA
1.8mA
2mA 1.6mA
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Fig.3 Ground emitter propagation characteristics
10
2
1
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
5
2.0 2.4 2.8 3.2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Ta
=100
°C
25
°C
VCE
= 3V
25
°C
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE:
V
CE(sat)
(V)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current ( )
0.1
0.1 0.2
0.5
1
2
5 10
0.2
0.5
1
2
5
10
Ta
=25
°C
IC/IB
=1000
500
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
EF
Fig.4 DC current gain vs.a collector current( )
200
500
1000
2000
5000
10000
100
50
20
10
2
1
0.2
0.1
0.01 0.02 0.05
0.5
5
Ta
=25°C
3V
5V
VCE
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
EF
Fig.5 DC current gain vs. collector current (
)
200
500
1000
2000
5000
10000
100
50
20
10
2
1
0.2
0.1
0.01 0.02 0.05
0.5
5
VCE
= 3V
Ta
=100
°C
25
°C
25
°C
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE:
V
CE(sat)
(V)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
)
0.1
0.1 0.2
0.5
1
2
5 10
0.2
0.5
1
2
5
10
25
°C
IC/IB
=500
25
°C
Ta
=100
°C
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
ob
(pF)
Fig.8 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
200
500
1000
100
50
20
10
2
5
1
10 20
50 100
2
1
0.2
0.1
0.5
5
Ta
=25°C
f
=1MHz
IE
=0A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Fig.9 Safe operating area
0.01
0.02
0.05
0.2
0.5
1
2
5
10
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
200
100
50
Ta
=25°C
IC MAX (Pulse)
Pw
=
10ms
Pw
=100ms
Single
nonrepetitive
pulse
DC
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PDF描述
2SB1474 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1475B43-T2-A 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1475-T1-A 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1475B42-T1-A 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1475B42-T1-A 500 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SB14880PA 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1495(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1495,Q(J 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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