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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1474 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-63, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SB1474 |
2SB1474
Transistor
Power Transistor (
80V, 4A)
2SB1474
!Features
1) Darlington connection for a high hFE.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper doide.
!
!Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCES
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
-80
-7
-4
1
10
150
-55~+150
Unit
V
A(DC)
-6
*
A
W
(Tc=25C)
C
* Single pulse, Pw=100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
!External dimensions
(Units : mm)
2.3
0.5
1.0
0.5
9.5
2.5
0.8Min.
1.5
6.5
2.3
( 2
)
( 3
)
C0.5
0.65
0.9
( 1
)
0.75
2.3
0.9
1.5
5.5
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
(1) Base(Gate)
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
5.1
!
!Packaging specifications and hFE
Type
2SB1474
CPT3
1k~10k
TL
2500
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!
!Circuit diagram
R1
3k
R2
300
B
C
E
C
B
E
: Base
: Collector
: Emitter
R1
R2
!
!Electrical characteristics
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
-80
-
1000
-
-1
5000
12
45
-
-100
-3
-1.5
10000
-
V
A
mA
V
*1
*2
-
MHz
pF
IC=-50
A
IC
=-1mA
VCB
=-80V
VEB
=-5V
IC/IB
=-2A/-4mA
VCE/IC
=-3V/-2A
VCE
=-5V, IE=0.5A, f=10MHz
VCB
=-10V, IE=0A, f=1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*1 Measured using pulse current. *2 Transition frequency of the device.
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| 2SB1495(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D |
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