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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1424 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Low VCE(sat) Transistor(低VCE(sat)晶體管) |
| 中文描述： | 低Vce（sat）晶體管（低的Vce（星期六）晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SB1424 |
202
Transistors
2SB1424 / 2SA1585S
Electrical characteristics (Ta = 25 C)
Packaging specifications and f
FE
h
FE
values are classified as follows :
Electrical characteristic curves
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1585S | Low Vce(sat) Transistor (-20V, -3A) |
| 2SB1427 | Power transistor (−20V, −2A) |
| 2SB1431 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING |
| 2SB1454 | High-Current Switching Applications |
| 2SD2202 | High-Current Switching Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1424T100P | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2SB1424T100P |
| 2SB1424T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1424T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A MPT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1427 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1427-T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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