參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1424
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: Low VCE(sat) Transistor(低VCE(sat)晶體管)
中文描述: 低Vce(sat)晶體管(低的Vce(星期六)晶體管)
文件頁數(shù): 1/3頁
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代理商: 2SB1424
(96-596-A74)
External dimensions (Units: mm)
201
Transistors
Low V
CE(sat)
Transistor (
2SB1424 / 2SA1585S
20V,
3A)
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
(I
C
/I
B
=
2) Excellent DC current gain charac-
teristics.
3) Complements the 2SD2150 /
2SC4115S.
0.2V (Typ.)
2A /
0.1A)
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
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PDF描述
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2SB1424T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1424T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A MPT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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