參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1409(S)C
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 172K
代理商： 2SB1409(S)C
2SB1409(L)/(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–180
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–160
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–5
V
Collector current
I
C
–1.5
A
Collector peak current
I
C(peak)
–3
A
Collector power dissipation
P
C*
1
18
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–180
—
V
I
C = –1 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–160
—
V
I
C = –10 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–5
—
V
I
E = –1 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–10
AV
CB = –160 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1*
1
60
—
200
V
CE = –5 V, IC = –150 mA*
2
h
FE2
30
—
V
CE = –5 V, IC = –500 mA*
2
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
——
–1
V
I
C = –500 mA, IB = –50 mA
Base to emitter voltage
V
BE
—
–1.5
V
CE = –5 V, IC = –150 mA
Gain bandwidth product
f
T
—
240
—
MHz
V
CE = –5 V, IC = –150 mA
Collector output capacitance
Cob
—
25
—
pF
V
CB = –10 A, IE = 0, f = 1 MHz
Notes: 1. The 2SB1409(L)/(S) is grouped by h
FE1 as follows.
BC
60 to 120
100 to 200
2. Pulse test.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1409(L) 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1424T100P 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1424T100/PR 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1424T100/QR 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1424T100/PQ 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1412TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TRR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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