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參數資料
| 型號： | 2SB1424T100P |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | 2SB1424T100P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1424T100/PR | 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1424T100/QR | 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1424T100/PQ | 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1472 | 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1472 | 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1424T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1424T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A MPT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1427 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1427-T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1427T100E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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