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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1409(L) |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 2SB1409(L) |
2SB1409(L)/(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–180
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–160
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–5
V
Collector current
I
C
–1.5
A
Collector peak current
I
C(peak)
–3
A
Collector power dissipation
P
C*
1
18
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–180
—
V
I
C = –1 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–160
—
V
I
C = –10 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–5
—
V
I
E = –1 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–10
AV
CB = –160 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1*
1
60
—
200
V
CE = –5 V, IC = –150 mA*
2
h
FE2
30
—
V
CE = –5 V, IC = –500 mA*
2
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
——
–1
V
I
C = –500 mA, IB = –50 mA
Base to emitter voltage
V
BE
—
–1.5
V
CE = –5 V, IC = –150 mA
Gain bandwidth product
f
T
—
240
—
MHz
V
CE = –5 V, IC = –150 mA
Collector output capacitance
Cob
—
25
—
pF
V
CB = –10 A, IE = 0, f = 1 MHz
Notes: 1. The 2SB1409(L)/(S) is grouped by h
FE1 as follows.
BC
60 to 120
100 to 200
2. Pulse test.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1424T100P | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1424T100/PR | 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1424T100/QR | 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1424T100/PQ | 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1472 | 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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