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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1404 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴散PNP晶體管) |
| 中文描述： | 三重擴散硅進(jìn)步黨（三倍擴散進(jìn)步黨晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 2SB1404 |
2SB1404
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
Tj
–120
V
Collector to emitter voltage
–120
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector current
–3
A
Collector peak current
–6
A
Collector power dissipation
2
W
1
25
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–120
—
—
V
I
C
= –0.1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–120
—
—
V
I
C
= –25 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–7
—
—
V
I
E
= –50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE
V
CE(sat)1
—
—
–10
μ
A
V
CB
= –100 V, I
E
= 0
V
CE
= –100 V, R
BE
=
∞
V
CE
= –3 V, I
C
= –1.5 A*
I
C
= –1.5 A, I
B
= –3 mA*
—
—
–10
DC current transfer ratio
1000
—
20000
1
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
–1.5
V
1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
—
—
–3.0
I
C
= –3 A, I
B
= –30 mA*
I
C
= –1.5 A, I
B
= –3 mA*
1
Base to emitter saturation
voltage
—
—
–2.0
V
1
V
BE(sat)2
—
—
–3.5
I
C
= –3 A, I
B
= –30 mA*
1
Note:
1. Pulse test.
See switching characteristic curve of 2SB765(K).
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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