參數(shù)資料
型號： 2SB1403
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴(kuò)散PNP晶體管)
中文描述： 三重擴(kuò)散硅進(jìn)步黨（三倍擴(kuò)散進(jìn)步黨晶體管）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 36K
代理商： 2SB1403
2SB1403
4
Saturation Voltage vs.
Collector Current
T
C
= 25
°
C
–10
–3
–1.0
–0.3
C
C
B
B
–0.1
–0.1
–0.3
Collector current I
C
(A)
–3
–1.0
–10
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
C
/
I
B
= 200
500
200
Transient Thermal Resistance
T
C
= 25
°
C
Time t (s)
10
3
1.0
0.3
0.1
T
θ
j
°
C
1 m
10 m
100 m
1.0
10
100
1000
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PDF描述
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2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TRR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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