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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1386G-Q-AB3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | 2SB1386G-Q-AB3-R |
2SB1386
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
3 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R208-019,C
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
-0.2
-2
-1m
Base to Emitter Voltage, VBE(V)
Collector Current vs. Base to Emitter
Voltage
-1m-2m-5m-0.01-0.02
200
20
Collector Current, Ic(A)
DC Current Gain vs. Collector Current(1)
100
-0.4 -0.6 -0.8
-1.4
-1.2
-1.0
-2m
-5m
0
-5
0
Collector to Emitter Voltage, VCE(V)
Collector Current vs. Collector to Emitter
Voltage
-1
-0.4
-0.8
-1.6
-2.0
-1.2
-2
-3
-4
IB =0mA
Ta=25℃
-10mA
-5mA
-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1
500
5k
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (1)
-10m
-30mA
-45mA
-50mA
-15mA
-20mA
-25mA
10
5
-2
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-20m
-50m
-100m
-200m
-500m
-1
-5
-10
VCE = -2V
Ta=25℃
Ta=100℃
Ta= -25℃
-40mA
-35mA
-5 -10
50
1k
2k
VcE= -5V
VcE= -2V
VcE= -1V
Ta=25℃
-1m-2m-5m-0.01-0.02
200
20
Collector Current, IC(A)
DC Current Gain vs. Collector Current(2)
100
-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1
500
5k
10
5
-2 -5 -10
50
1k
2k
VcE= -1V
Ta=100℃
-1m-2m-5m-0.01-0.02
200
20
Collector Current, Ic(A)
DC Current Gain vs. Collector Current
100
-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1
500
5k
10
5
-2 -5 -10
50
1k
2k
VcE= -2V
Ta=25℃
Ta= -25℃
Ta=100℃
Ta= -25℃
-2m -5m-0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta=25℃
Ic/IB=50/1
40/1
30/1
10/1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1386L-Q-AB3-R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1391-E | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1391 | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1392C-E | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1392 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1386T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1386T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1389 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1390(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1391(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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