參數(shù)資料
型號： 2SB1386G-Q-AB3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： 2SB1386G-Q-AB3-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB1386
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R208-019,C
LOW FREQUENCY PNP
TRANSISTOR
FEATURES
* Excellent DC current gain characteristics
* Low VCE(SAT)
VCE(SAT)= -0.35V (Typ)
(IC/IB = -4A/-0.1A)
SOT-89
1
ORDERING INFORMATION
Order Number
Pin Assignment
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SB1386L-x-AB3-R
2SB1386G-x-AB3-R
SOT-89
B
C
E
Tape Reel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1386L-Q-AB3-R 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1391-E 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1391 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1392C-E 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1392 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1386T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1386T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1389 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1390(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SB1391(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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