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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1386 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Low Frequency Transistor(-20V,-5A) |
| 中文描述： | 低頻晶體管（- 20V的，- 5A型） |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 155K |
| 代理商： | 2SB1386 |
213
Transistors
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
Packaging specifications and h
FE
h
FE
values are classified as follows:
Electrical characteristic curves
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1412 | Low Frequency Transistor(-20V,-5A) |
| 2SB1436 | Low Frequency Transistor(低頻晶體管) |
| 2SB1357 | Transistor PNP (low collector saturation voltage wide safe operation area) |
| 2SB1370 | Power Transistor (-60V, -3A) |
| 2SB1565 | Power Transistor (-60V, -3A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1386T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1386T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1389 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1390(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1391(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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