參數(shù)資料
型號： 2SB1386
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low Frequency Transistor(-20V,-5A)
中文描述： 低頻晶體管（- 20V的，- 5A型）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 155K
代理商： 2SB1386
(96-141-B204)
External dimensions (Units: mm)
211
Transistors
Low Frequency Transistor
(
20V,
5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
(I
C
/ I
B
=
2) Excellent DC current gain charac-
teristics.
3) Complements the 2SD2098 /
2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.
0.35V (Typ.)
4A /
0.1A)
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
2SB1386T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1386T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1389 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1390(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SB1391(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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