參數(shù)資料
型號: 2SB1232-P
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-3PB, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商: 2SB1232-P
2SB1232/2SD1842
No.3261–3/4
VCE(sat) -- IC
ITR09415
ITR09414
VCE(sat) -- IC
--1.0
--0.1
25
53
--10
25
32
5
3
2
--1.0
2
5
2
3
5
7
--0.1
--1.0
--0.1
25
53
--10
25
32
5
3
7
2
3
5
2
--1.0
--0.1
1.0
0.1
25
53
10
25
32
5
3
2
1.0
2
5
7
2
3
5
0.1
Ta=120°C
25°
C
--40°C
ITR09418
VBE(sat) -- IC
2SB1232
IC / IB=10
2SB1232
IC / IB=10
25°C
--40°C
1.0
0.1
25
53
10
25
32
5
3
7
2
3
5
2
1.0
0.1
ITR09419
VBE(sat) -- IC
2SD1842
IC / IB=10
2SD1842
IC / IB=10
VCE(sat) -- IC
ITR09417
ITR09416
VCE(sat) -- IC
--1.0
--0.1
25
53
--10
25
32
5
3
2
--1.0
2
5
7
2
3
5
--0.1
1.0
0.1
25
53
10
25
32
5
3
2
1.0
2
5
2
3
5
7
0.1
IC / IB=20
IC / IB=10
2SB1232
Ta=25
°C
IC / IB=20
IC / IB=10
2SD1842
Ta=25
°C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1.0
1.5
PC -- Ta
ITR09420
No
heat
sink
2SB1232 / 2SD1842
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
30
90
120
150
180
60
PC -- Ta
ITR09421
2SB1232 / 2SD1842
Ta= --40°C
25°C
120°C
Ta= --40°C
25°C
120°C
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC – A
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC – A
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector
Dissipation,
P
C
–W
Ambient Temperature, Ta – C
Collector
Dissipation,
P
C
–W
相關PDF資料
PDF描述
2SD1845 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1857APQTV2 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1857ATL 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1857ATV2Q 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1857ATV2/Q 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1234-TB-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 80V 50A SOT23
2SB1236ATV2P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1236ATV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1236TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1236TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2