參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1232-P
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 40 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2SB1232-P
2SB1232/2SD1842
No.3261–2/4
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BV
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(
E
B
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I
,
A
6
1
)
–
(
=
B
A
6
.
1
)
–
(
=5
.
1
)
–
(V
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l
o
V
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B
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CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
m
1
)
–
(
=
E 0
=0
1
)
–
(V
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l
o
V
n
w
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k
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B
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m
E
-
o
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-
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c
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o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
5
)
–
(
=
E
B =∞
0
1
)
–
(V
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V
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B
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i
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O
B
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R
B
(
IC
I
,
A
m
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
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ITR09408
ITR09409
IC -- VCE
0
--1
--2
--3
--4
--5
0
--20
--10
--30
--40
--50
IB=0
IC -- VCE
2SB1232
02
13
4
5
0
20
10
30
50
40
IB=0
2SD1842
--
5.0A
ITR09412
ITR09413
ITR09410
ITR09411
hFE -- IC
23
5
23
5
23
5
--10
--0.1
--1.0
--100
3
2
3
2
3
2
5
7
--10
5
23
5
23
5
23
5
10
0.1
1.0
100
3
2
3
2
3
2
5
7
10
5
hFE -- IC
--0.5
0
--1.0
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--2.5
--1.5
--30
--20
--10
--40
--50
0
IC -- VBE(ON)
1.5
0.5
0
1.0
2.0
2.5
0
30
20
10
40
50
IC -- VBE(ON)
2SB1232
VCE= --2V
2SB1232
VCE= --2V
Ta
=
120
°C
25
°C
--40
°C
Ta
=
120
°C
25
°C
--40
°C
2SD1842
VCE=2V
2SD1842
VCE=2V
Ta=120°C
25
°C
--40°C
Ta=120°C
25°C
--40°C
5A
--3.0A
--2.0A
--1.0A
--0.5A
--0.3A
--0.2A
--0.1A
3A
2A
1A
0.5A
0.3A
0.2A
0.1A
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter ON Voltage, VBE(ON) – V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter ON Voltage, VBE(ON) – V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1845 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SD1857ATL 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1857ATV2Q 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1857ATV2/Q 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SB1236ATV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1236TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1236TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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